Nueva DDR3 Samsung 16 GB de memoria RAM

Samsung empujado esta noche su línea de memoria DDR3 adelante con noticias de una nueva de dos gigabit (256MB) módulo. Uso de una nueva 50 nanómetros proceso de fabricación, la memoria es el doble de denso que el anterior y permite la capacidad de RAM que aún son raros: un doble morir, el error corregido RAM palo puede celebrar ahora tanto como 16 GB por el apilamiento de chips. Notebooks también debería ver un aumento de hasta 4GB por palo en un paquete delgado, mientras que el ordinario de la memoria no utilizada en la mayoría de los escritorios deberían tener una cantidad similar.


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A pesar del aumento de la capacidad, Samsung cuenta con un consumo de energía de la caída del 40 por ciento por módulo más de un anterior-gigabit módulos. El aumento de la capacidad también tiene la ventaja de permitir que el fabricante coreano de electrónica reducir el consumo de energía aún más mediante el uso de un menor número de módulos para la misma densidad. La velocidad es también dice que han aumentado por un 60 por ciento gracias a la más eficaz del ancho de banda.

Volumen de producción de la nueva memoria debe comenzar durante el otoño y deben ayudar a los más recientes basados en Intel equipos de sobremesa y portátiles usando DDR3 de memoria como su elección. Samsung también prevé DDR3 forman la mayor parte de sus envíos de RAM en 2009 como más sistemas de cambiar el formato.